바이든 놀랐다…이재용이 선보인 '3나노 반도체'는?

삼성전자 평택캠퍼스 전경. (영상=삼성전자)

[이데일리 최영지 기자] 삼성전자가 20일 오후 한국에 도착한 조 바이든 미국 대통령에 3나노미터(㎚·1나노는 10억분의 1m) 반도체 공정을 소개했다. 삼성전자는 파운드리(반도체 위탁생산) 경쟁사인 대만 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하겠다는 계획을 갖고 있어, 양산에 성공한다면 TSMC보다 기술적 우위를 선점할 수 있게 된다.

바이든 대통령이 이날 오후 한국에 도착하자마자 찾은 곳은 삼성전자 평택캠퍼스였다. 윤석열 대통령과 함께 가동 중인 1라인(P1)과 현재 건설 중인 3라인(P3) 등 주요 시설을 둘러봤다. 이재용 삼성전자(005930) 부회장은 예정대로 3나노 반도체 시제품을 직접 소개했다. 삼성전자의 주요 고객사인 미국 반도체기업 퀄컴의 크리스티아누 아몬 최고경영자(CEO)도 바이든 대통령과 동행한 것으로 알려졌다.

윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령이 20일 경기 평택 삼성전자 반도체 공장에서 이재용 부회장의 안내를 받으며 시찰하고 있다. (사진=뉴시스)

삼성전자는 올 상반기 중 차세대 공정 기술인 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 1세대 제품 양산에 돌입할 예정이다. GAA 기술은 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비전력은 적으면서 성능은 높인 독자적인 신기술이다. 반도체가 미세화될수록 발열량이 줄어 스마트폰 전체 성능을 높일 수 있다.

앞서 강문수 삼성전자 파운드리사업부 부사장도 지난달 28일 1분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 “3나노 공정은 선단 공정 개발 체계 개선을 통해 단계별 개발 검증 강화로 수율 램프업(장비 설치 후 양산까지 생산 능력 증가) 기간을 단축했다”고 설명했다.

파운드리 업체 중 10나노 미만의 미세공정 기술력을 갖춘 기업은 삼성전자와 TSMC 뿐이다. 3나노에선 삼성전자가 세계 1위인 TSMC보다 반 년 정도 앞섰다는 평가를 받고 있다. 이 부회장이 신기술과 시제품을 직접 소개함으로써 삼성전자의 기술력 우위를 공고히 할 수 있다는 해석도 나온다.

삼성전자 평택캠퍼스는 D램·낸드플래시 등 메모리반도체뿐 아니라 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 라인으로 구성돼 있다.