젠슨 황, 삼성 'HBM3E'에 친필 "승인" 사인…엔비디아 탑재 기대감

엔비디아 CEO, 'GTC 2024' 삼성 부스 방문
HBM3E 12단 제품에 직접 사인
"삼성 제품 테스트 중…기대 크다"
  • 등록 2024-03-21 오후 12:20:23

    수정 2024-03-21 오후 1:42:28

[이데일리 최영지 기자] 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 ‘GTC 2024’ 행사에 참가한 삼성전자 부스를 찾아 5세대 고대역폭메모리 ‘HBM3E’에 친필 사인을 남겼다. 지난 19일(현지시간) 삼성전자(005930)의 HBM을 두고 기대가 크다고 언급한 것에 이은 관심으로, 엔비디아 인공지능(AI) 가속기에 삼성전자의 HBM 탑재가 임박한 것 아니냐는 관측을 낳았다.

젠슨 황 엔비디아 CEO가 ‘GTC 2024’ 삼성전자 부스를 찾아 HBM3E 12H 제품에 사인을 했다. (한진만 삼성전자 부사장 SNS 갈무리)
21일 한진만 삼성전자 반도체(DS)부문 미주총괄(DSA) 부사장은 자신의 사회관계망서비스(SNS)를 통해 “젠슨 황, 만나지 못해 아쉽다. 우리 부스에 들러줘서 고맙다”며 삼성 HBM3E 12단 실물 제품에 젠슨 황이 직접 사인한 사진을 게재했다. 그러면서 한 부사장은 “삼성의 HBM3E에 승인 도장(stamp of approval)을 찍어줘 기쁘게 생각한다”며 “삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다”고 전했다.

젠슨 황 엔비디아 CEO가 ‘GTC 2024’ 삼성전자 부스를 찾아 관계자들과 기념사진을 촬영하고 있다. (한진만 삼성전자 부사장 SNS 갈무리)
황 CEO가 자사 행사인 ‘GTC 2024’에서 진행 중인 삼성전자 전시 부스를 찾아 HBM3E 12단 제품에 대해 ‘젠슨 승인(JENSEN APPROVED)’라는 사인을 남긴 것이다. 삼성전자는 해당 제품을 업계 최초로 개발했으며 이번 행사에서 처음 공개했다.

삼성전자의 HBM3E는 1024개의 입출력 통로(I/O)에서 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공하는 제품이다. 이미 샘플을 고객사에 제공하기 시작했으며 올해 상반기 양산할 예정이다.

HBM3E 12단 제품이 전시돼 있는 삼성전자 전시 부스. (사진=독자 제공)
특히 황 CEO의 방문은 앞서 엔비디아 GTC 2024 글로벌 미디어 행사에서 “우리는 지금 삼성전자의 HBM을 테스트하고 있다. 기대가 크다”고 발언한 직후여서 업계의 관심이 쏠린다.

황 CEO의 발언과 부스 방문을 미뤄 볼 때 삼성의 HBM3E 역시 엔비디아 AI 가속기에 탑재될 가능성이 더욱 커진 것으로 관측된다.

경쟁사인 SK하이닉스(000660)는 이달 말부터 메모리 업체 중 가장 먼저 5세대인 HBM3E(8단·24GB) D램을 엔비디아에 납품할 것으로 알려졌다. SK하이닉스도 이번 행사에서 전기 부스를 꾸려 HBM3E 12단(36GB) 샘플을 선보였다.

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