삼성전자는 30일 컨퍼런스콜에서 삼성전자가 4나노 반도체 생산을 건너뛰고 3나노로 직행할 것이라는 루머에 대해 “현재 4나노 1세대 공정 개발과 양산 준비를 차질없이 진행 중이며, 현재 4나노 2세대 공정을 개발하고 있다”고 설명했다.
5나노 공정에 대해서는 “2분기에 이미 5나노 제품에 대한 양산에 착수했다”며 “하반기 고객을 확대해 본격적으로 대량 양산 체제에 들어갈 것”이라고 말했다.
하반기에 출시하는 DDR5 D램에 대해선 “전통적으로 PC, 서버 클라우드 데이터센터향 솔루션이고, 인공지능(AI) 시대에 대응할 성능과 용량을 지원하는 차세대 제품”이라고 소개했다.
삼성전자는 “DDR5 중앙처리장치(CPU)는 2022년까지 출시할 걸로 예상되고, 5세대 이동통신(5G) 네트워크 인프라에서도 이 제품 탑재를 검토하고 있어서 차세대 핵심 부품으로 영역 확대될 것”이라며 “2023년부터 2024년 상반기에 크로스오버가 이뤄질 것으로 전망한다”고 했다.
6세대 V낸드 수율 부진 지적에 대해선 “싱글 스택 기반 6세대 V낸드 수율은 현재 매우 순조롭다”며 “고객사 디자인도 늘어나 하반기부터 램프업이 가시화될 것”이라고 전망했다.
메모리 반도체 수요는 상반기에 이어 하반기에도 증가할 것으로 보지만, 코로나19 등에 따른 불확실성은 있다고 봤다.
또 “가격 변화 주요 요인은 코로나19을 포함한 대외 환경의 변화와 고객사, 공급사의 메모리 재고에 달려 있다”며 “관심을 갖고 지켜봐야 한다고 생각한다”고 답했다.