삼성전자(005930)는 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사를 지난달 착수했으며, 내년 하반기 양산을 시작할 계획이라고 1일 밝혔다. 업계에선 이번 투자 규모를 8조원 안팎으로 관측하고 있다.
삼성전자의 낸드플래시 생산라인 증설 투자 발표는 지난달 21일 평택캠퍼스에 약 10조원을 투자해 극자외선(EUV) 파운드리 라인을 조성하겠다고 밝힌 지 열흘 만에 나온 것이다. 이로써 삼성전자 평택캠퍼스는 첫 삽을 뜬 지 5년 만에 ‘허허벌판’에서 메모리 반도체와 시스템 반도체를 망라하는 명실상부한 ‘세계 최첨단 반도체 복합 생산기지’로 거듭나게 됐다.
지난 2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로, 세계 최대 규모의 생산라인 2개가 건설됐다. 이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다. 삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있다. 지난해 7월에는 업계 최초로 6세대 V낸드 제품을 양산한 바 있다.
최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력”이라며 “최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 정보기술(IT) 산업 성장에 기여할 것”이라고 말했다.
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