삼성전자, 평택에 또 대규모 투자…이번엔 낸드플래시 증설

EUV 파운드리 조성 발표 열흘 만에 추가 투자 계획 밝혀
업계에선 투자 규모 8조 안팎 관측…대규모 투자 지속
이재용 검찰 수사 등 불확실성 속에서도 투자 약속 지켜
  • 등록 2020-06-01 오전 11:00:00

    수정 2020-06-01 오전 11:00:00

[이데일리 피용익 기자] 삼성전자가 평택캠퍼스에 낸드플래시 생산라인을 새로 짓는다. 이재용 삼성전자 부회장에 대한 잇단 검찰 수사와 미·중 갈등 격화 등 대내외 불확실성이 커지는 상황에서도 투자 약속을 반드시 지키겠다는 의지를 보여준 것이라는 평가가 나온다.

삼성전자(005930)는 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사를 지난달 착수했으며, 내년 하반기 양산을 시작할 계획이라고 1일 밝혔다. 업계에선 이번 투자 규모를 8조원 안팎으로 관측하고 있다.

삼성전자의 낸드플래시 생산라인 증설 투자 발표는 지난달 21일 평택캠퍼스에 약 10조원을 투자해 극자외선(EUV) 파운드리 라인을 조성하겠다고 밝힌 지 열흘 만에 나온 것이다. 이로써 삼성전자 평택캠퍼스는 첫 삽을 뜬 지 5년 만에 ‘허허벌판’에서 메모리 반도체와 시스템 반도체를 망라하는 명실상부한 ‘세계 최첨단 반도체 복합 생산기지’로 거듭나게 됐다.

이번 낸드플래시 생산라인 투자는 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 도래와 5세대 이동통신(5G) 보급에 따른 중장기 낸드 수요 확대에 대응하기 위해서라고 삼성전자는 설명했다. 특히 최근의 비대면 라이프스타일 확산 추세가 더욱 가속될 것으로 예상되는 가운데 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장 기회를 선점해 나간다는 계획이다.

지난 2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로, 세계 최대 규모의 생산라인 2개가 건설됐다. 이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다. 삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있다. 지난해 7월에는 업계 최초로 6세대 V낸드 제품을 양산한 바 있다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력”이라며 “최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 정보기술(IT) 산업 성장에 기여할 것”이라고 말했다.

한편 삼성전자는 국내에는 화성과 평택, 해외에는 중국 시안에 낸드플래시 생산라인을 운영 중이다. 국내외 균형있는 투자를 통해 안정적인 글로벌 공급망을 유지하고 시장리더십을 더욱 강화한다는 전략이다.

평택캠퍼스 P2라인 전경 (사진=삼성전자)


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