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SK하이닉스(000660)가 올해 1분기 사상 최대 수준의 매출과 영업이익을 올리며 ‘어닝 서프라이즈’(깜짝 실적)를 기록했다. 회사는 올해 1분기 연결기준 매출 12조4296억원, 영업이익 2조8860억원을 각각 기록했다고 25일 공시했다. 매출의 경우 전년 동기 대비 144.3% 늘었고 영업이익은 지난해 4분기보다 더 커졌다. 순이익은 1조9170억원을 올렸다.
이번 매출액은 그간 회사가 거둬온 1분기 실적 중 최대치다. 영업이익 역시 1분기 기준 최대 호황기였던 2018년 이후 두 번째 높은 규모다. 장기간 지속한 메모리 불황에서 벗어나 완연한 실적 반등 추세에 접어든 것으로 분석된다.
1분기 D램 평균판매가격(ASP)이 전기보다 20% 이상 상승하고 낸드 ASP는 30% 이상 오르는 등 메모리 가격 상승이 호실적으로 이어졌다. 낸드는 프리미엄 제품인 기업용 eSSD 판매 비중 확대로 가격이 오르자 흑자 전환에 성공했다.
아울러 지난해 말 시작한 감산에 따라 D램과 낸드 모두 재고를 줄였다고도 했다. 이와 관련 “선단공정 제품 중심으로만 생산 확대가 이뤄지고 있고 현재 재고비중이 큰 레거시 제품의 소진 속도도 가속화해 연말엔 재고 수준이 하락할 것으로 전망한다”고 했다.
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컨퍼런스콜에서 HBM3E 가격을 묻는 질문에는 고성능, 고용량에 원가상승분을 고려해 기존 HBM3 제품보다 가격 프리미엄을 반영했다고 답했다. 또 “업계 최고 수준의 극자외선(EUV) 공정 생산성과 1b나노 기술 완성도를 기반으로 순조롭게 양산을 진행하고 있고 램프업(생산량 확대)도 고려하고 있다”고 했다. SK하이닉스는 지난달 HBM3E 8단적층(8H) 신제품 양산 소식을 알렸으며 엔비디아 공급을 본격화했다. HBM3E 12H 제품 개발 상황을 묻는 질문에는 “올해 고객이 원하는 제품은 HBM3E 8H”라며 “12H는 고객 요청 일정에 맞춰 올해 3분기 개발을 완료하고 고객인증을 거쳐 내년 수요가 늘어나는 시점에 안정적으로 공급할 것”이라고 했다.
회사는 수요가 늘면서도 수익성이 높은 제품에 대한 생산능력을 키우기 위한 투자 계획 역시 밝혔다. 전날 HBM을 비롯 차세대 D램 생산능력을 확대하기 위해 신규 팹(생산공장)인 청주 M15X를 D램 생산기지로 삼고 20조원을 투입하기로 결정한 것도 이 중 하나다. 또 차세대 HBM인 HBM4 개발을 위해 TSMC와 협력해 시장 선점 경쟁에 불을 지폈다.
회사 관계자는 “올해 투자 규모는 연초 계획보다 증가할 것”이라면서도 “다만 해당 증가분은 수요에 대한 가시성이 뚜렷하고 수익성이 높은 제품 생산과 인프라 확보를 위한 것”이라고 했다. 현금의 창출 수준을 고려해 미래 성장을 위한 투자와 재무건전성 확보에 균형을 맞추겠다는 것이다.